- self-aligned-gate MOS
- Information technology: SAGMOS
Универсальный русско-английский словарь. Академик.ру. 2011.
self-aligned-gate MOS
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self-aligned gate MOS — MOP darinys su susitapatinančiomis užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned gate MOS; self aligned gate MOS structure vok. MOS Struktur mit selbstjustierten Gates, f rus. МОП структура с самосовмещёнными… … Radioelektronikos terminų žodynas
self-aligned gate MOS structure — MOP darinys su susitapatinančiomis užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned gate MOS; self aligned gate MOS structure vok. MOS Struktur mit selbstjustierten Gates, f rus. МОП структура с самосовмещёнными… … Radioelektronikos terminų žodynas
advanced MOS self-aligned gate process — patobulinta MOP darinių su susitapatinančiomis užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. advanced MOS self aligned gate process vok. fortgeschrittene MOS Technologie mit selbstjustierendem Gate, f rus.… … Radioelektronikos terminų žodynas
self-aligned polysilicon-gate MOS process — MOP darinių su susitapatinančiomis polikristalinio silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned polysilicon gate MOS process vok. selbstjustierende MOS Polysiliziumtechnik, f rus. технология… … Radioelektronikos terminų žodynas
MOS-Struktur mit selbstjustierten Gates — MOP darinys su susitapatinančiomis užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned gate MOS; self aligned gate MOS structure vok. MOS Struktur mit selbstjustierten Gates, f rus. МОП структура с самосовмещёнными… … Radioelektronikos terminų žodynas
structure MOS à grilles auto-alignées — MOP darinys su susitapatinančiomis užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned gate MOS; self aligned gate MOS structure vok. MOS Struktur mit selbstjustierten Gates, f rus. МОП структура с самосовмещёнными… … Radioelektronikos terminų žodynas
MOS-FET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
MOS-Fet — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
fortgeschrittene MOS-Technologie mit selbstjustierendem Gate — patobulinta MOP darinių su susitapatinančiomis užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. advanced MOS self aligned gate process vok. fortgeschrittene MOS Technologie mit selbstjustierendem Gate, f rus.… … Radioelektronikos terminų žodynas
technologie MOS perfectionnée à grilles polysiliciums auto-alignées — patobulinta MOP darinių su susitapatinančiomis užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. advanced MOS self aligned gate process vok. fortgeschrittene MOS Technologie mit selbstjustierendem Gate, f rus.… … Radioelektronikos terminų žodynas
Dual-Gate-MOSFET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
